Dünya teknoloji devlerinden IBM ve Samsung, daha az yarı iletken kullanarak daha fazla güç üretebilen yeni çip teknolojisi duyurdu.
WebTekno’nun haberine göre, ABD merkezli teknoloji firması IBM tarafından yapılan açıklamada Samsung ortaklığıyla yarı iletken tasarımı geliştirildiği kaydedildi. Ortaya çıkarılan bu teknolojik çözümün; pandeminin başından bu yana çip sektöründe yaşanan tedarik sorununu kökünden halledebileceği düşünülüyor.
Dikey Alanda Transistor Taşıması (VTFET) adı verilen teknoloji; çiplerde kullanılan yarı iletkenlerin yatay koyulmak yerine dikey koyulması olarak tanımlanıyor. Samsung ve IBM’nin bu teknolojik çözümünün; en ‘yoğun’ çiplerden de daha fazla yarı iletken olup aynı boyutlardaki çiplere sığdırılabileceği kaydedildi.
Açıklamanın devamında çiplerin dikey olarak sıralandırılmasıyla daha fazla yarı iletken koyulabilip tüketim oranını da yüzde 85’e kadar düşüreceğine işaret edildi.
VTFET’nin günlük hayata da yansıması bekleniyor. Yani VTFET teknolojisine sahip bataryalar ile telefonlar haftalarca şarjsız kullanılabilecek.
IBM ve Samsung yetkililerinin VTFET’in; IoT teknolojisi için devrim olabileceğini söylerken 2024 yılında bütün cihazlarda kullanılabilir hale gelmesini istediklerini belirtti.
Editör : SavunmaTR Haber Merkezi
